КФУ. Карточка публикации. Polytypism driven zero-field splitting of silicon vacancies in 6H -SiC

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

POLYTYPISM DRIVEN ZERO-FIELD SPLITTING OF SILICON VACANCIES IN 6H -SIC

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2018

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Орлинский Сергей Борисович, автор

Солтамов Виктор Андреевич, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Biktagirov T, Schmidt W.G, Gerstmann U, Polytypism driven zero-field splitting of silicon vacancies in 6H -SiC//Physical Review B. - 2018. - Vol.98, Is.19. - Art. № 195204.

Ключевые слова

EPR, ENDOR, SiC, carbide

Название журнала

PHYSICAL REVIEW B

URL

https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85056331335&doi=10.1103%2fPhysRevB.98.195204&partnerID=40&md5=a9d2b4a6359733db5d74b8b8a2a4ed0d

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=189954

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Орлинский Сергей Борисович	ru_RU
dc.contributor.author	Солтамов Виктор Андреевич	ru_RU
dc.date.accessioned	2018-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2018-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2018	ru_RU
dc.identifier.citation	Biktagirov T, Schmidt W.G, Gerstmann U, Polytypism driven zero-field splitting of silicon vacancies in 6H -SiC//Physical Review B. - 2018. - Vol.98, Is.19. - Art. № 195204.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=189954	ru_RU
dc.description.abstract	PHYSICAL REVIEW B	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	EPR	ru_RU
dc.subject	ENDOR	ru_RU
dc.subject	SiC	ru_RU
dc.subject	carbide	ru_RU
dc.title	Polytypism driven zero-field splitting of silicon vacancies in 6H -SiC	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU