Казанский (Приволжский) федеральный университет, КФУ
КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
 
RSS Ins Вконтакте twitter facebook
POLYTYPISM DRIVEN ZERO-FIELD SPLITTING OF SILICON VACANCIES IN 6H -SIC
Форма представленияСтатьи в зарубежных журналах и сборниках
Год публикации2018
Языканглийский
  • Орлинский Сергей Борисович, автор
  • Солтамов Виктор Андреевич, автор
  • Библиографическое описание на языке оригинала Biktagirov T, Schmidt W.G, Gerstmann U, Polytypism driven zero-field splitting of silicon vacancies in 6H -SiC//Physical Review B. - 2018. - Vol.98, Is.19. - Art. № 195204.
    Ключевые слова EPR, ENDOR, SiC, carbide
    Название журнала PHYSICAL REVIEW B
    URL https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85056331335&doi=10.1103%2fPhysRevB.98.195204&partnerID=40&md5=a9d2b4a6359733db5d74b8b8a2a4ed0d
    Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку https://repository.kpfu.ru/?p_id=189954

    Полная запись метаданных