| Form of presentation | Articles in international journals and collections |
| Year of publication | 2020 |
| Язык | английский |
|
Gumarov Amir Ildusovich, author
Tagirov Lenar Rafgatovich, author
|
| Bibliographic description in the original language |
Batalov R, Bayazitov R, Faizrakhmanov I, Khaibullin R, Tagirov L, Gumarov A, Vdovin V. Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation//Materials Science in Semiconductor Processing. - 2020. - Vol.105, Is.. - Art. № 104752. |
| Annotation |
Исследовано легирование приповерхностной области монокристаллического Si p-типа примесью Fe при облучении низкоэнергетическим и сильноточным пучком ионов Xe. Применен метод имплантации атомов отдачи, который предусматривает одновременное распыление мишени Fe с облучением осажденных атомов Fe на поверхности подложки Si пучком ионов Xe. Получающееся включение атомов Fe в Si приводит к образованию очень тонкого (5 нм) высоколегированного (> 10^22 ат/см3) поверхностного слоя (Si: Fe), содержащего наночастицы Si и a-Fe с размерами 5-20 нм. Такой слой демонстрирует ферромагнетизм при Т = 10 К и суперпарамагнетизм при 300 К. Наблюдается инверсия типа проводимости (от p- к n-типу) в сильно легированном слое Si: Fe и образование n-p-перехода к подложке. Фотоотклик полученной таким образом диодной структуры n-Si: Fe / p-Si демонстрирует интенсивный сигнал в диапазоне длин волн 500-1200 нм с максимумом около 950 нм при низком напряжении обратного смещения (U = 1 В), у которого интегральная интенсивность сравнима с таковой для коммерческого кремниевого фотодиода при U = 10 В. |
| Keywords |
Silicon, Iron, Hyperdoping, Ion beam, Ion sputtering, Nanoparticles, Ferromagnetism, Photoresponse |
| The name of the journal |
Materials Science in Semiconductor Processing
|
| URL |
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85072540286&doi=10.1016%2fj.mssp.2019.104752&partnerID=40&md5=6d4da31442f733f9f0518bea6520aad5 |
| Please use this ID to quote from or refer to the card |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=221971&p_lang=2 |
Full metadata record  |
| Field DC |
Value |
Language |
| dc.contributor.author |
Gumarov Amir Ildusovich |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Tagirov Lenar Rafgatovich |
ru_RU |
| dc.date.accessioned |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.available |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.issued |
2020 |
ru_RU |
| dc.identifier.citation |
Batalov R, Bayazitov R, Faizrakhmanov I, Khaibullin R, Tagirov L, Gumarov A, Vdovin V. Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation//Materials Science in Semiconductor Processing. - 2020. - Vol.105, Is.. - Art. № 104752. |
ru_RU |
| dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=221971&p_lang=2 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Materials Science in Semiconductor Processing |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Исследовано легирование приповерхностной области монокристаллического Si p-типа примесью Fe при облучении низкоэнергетическим и сильноточным пучком ионов Xe. Применен метод имплантации атомов отдачи, который предусматривает одновременное распыление мишени Fe с облучением осажденных атомов Fe на поверхности подложки Si пучком ионов Xe. Получающееся включение атомов Fe в Si приводит к образованию очень тонкого (5 нм) высоколегированного (> 10^22 ат/см3) поверхностного слоя (Si: Fe), содержащего наночастицы Si и a-Fe с размерами 5-20 нм. Такой слой демонстрирует ферромагнетизм при Т = 10 К и суперпарамагнетизм при 300 К. Наблюдается инверсия типа проводимости (от p- к n-типу) в сильно легированном слое Si: Fe и образование n-p-перехода к подложке. Фотоотклик полученной таким образом диодной структуры n-Si: Fe / p-Si демонстрирует интенсивный сигнал в диапазоне длин волн 500-1200 нм с максимумом около 950 нм при низком напряжении обратного смещения (U = 1 В), у которого интегральная интенсивность сравнима с таковой для коммерческого кремниевого фотодиода при U = 10 В. |
ru_RU |
| dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
| dc.subject |
Silicon |
ru_RU |
| dc.subject |
Iron |
ru_RU |
| dc.subject |
Hyperdoping |
ru_RU |
| dc.subject |
Ion beam |
ru_RU |
| dc.subject |
Ion sputtering |
ru_RU |
| dc.subject |
Nanoparticles |
ru_RU |
| dc.subject |
Ferromagnetism |
ru_RU |
| dc.subject |
Photoresponse |
ru_RU |
| dc.title |
Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation |
ru_RU |
| dc.type |
Articles in international journals and collections |
ru_RU |
|
RUS 
中文 
ES 
Sitemap
