КФУ. Карточка публикации. Spectral Ellipsometry of Cobalt-ions Implanted Silicon Surface

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

SPECTRAL ELLIPSOMETRY OF COBALT-IONS IMPLANTED SILICON SURFACE

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2015

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Гумаров Габдрауф Габдрашитович, автор

Осин Юрий Николаевич, автор

Степанов Андрей Львович, автор

Другие авторы

Базаров Валерий Вячеславович, автор

Валеев Валерий Фердинандович, автор

Нуждин Владимир Иванович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Spectral Ellipsometry of Cobalt-ions Implanted Silicon Surface / V.V. Bazarov V.F., Valeev, V.I. Nuzhdin, Yu.N. Osin, G.G. Gumarov, A.L. Stepanov // Solid State Phenomena. - 2015. - No. 233-234 P. 526-529.

Аннотация

Monocrystalline silicon wafers implanted by cobalt ions with energy of 40 keV at a fluence range from 6.6×1012 to 2.5×1017 Co+-ion/cm2 were investigated by optical spectroscopic ellipsometry. By comparison of experimental data with modeling it is shown that the ellipsometric measurements are accurate and reliable method for monitoring of a low-dose ion implantation process.

Ключевые слова

ion implantation, spectral ellipsometry, magnetic layers, Kerr effect, implanted silicon

Название журнала

Solid State Phenomena

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=106512

Файлы ресурса

Название файла	Размер (Мб)	Формат
SSP.233_234.526.Bazarov.pdf	2,67	pdf	посмотреть / скачать

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Гумаров Габдрауф Габдрашитович	ru_RU
dc.contributor.author	Осин Юрий Николаевич	ru_RU
dc.contributor.author	Осин Юрий Николаевич	ru_RU
dc.contributor.author	Степанов Андрей Львович	ru_RU
dc.contributor.author	Базаров Валерий Вячеславович	ru_RU
dc.contributor.author	Валеев Валерий Фердинандович	ru_RU
dc.contributor.author	Нуждин Владимир Иванович	ru_RU
dc.date.accessioned	2015-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2015-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2015	ru_RU
dc.identifier.citation	Spectral Ellipsometry of Cobalt-ions Implanted Silicon Surface / V.V. Bazarov V.F., Valeev, V.I. Nuzhdin, Yu.N. Osin, G.G. Gumarov, A.L. Stepanov // Solid State Phenomena. - 2015. - No. 233-234 P. 526-529.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=106512	ru_RU
dc.description.abstract	Solid State Phenomena	ru_RU
dc.description.abstract	Monocrystalline silicon wafers implanted by cobalt ions with energy of 40 keV at a fluence range from 6.6×1012 to 2.5×1017 Co+-ion/cm2 were investigated by optical spectroscopic ellipsometry. By comparison of experimental data with modeling it is shown that the ellipsometric measurements are accurate and reliable method for monitoring of a low-dose ion implantation process.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	ion implantation	ru_RU
dc.subject	spectral ellipsometry	ru_RU
dc.subject	magnetic layers	ru_RU
dc.subject	Kerr effect	ru_RU
dc.subject	implanted silicon	ru_RU
dc.title	Spectral Ellipsometry of Cobalt-ions Implanted Silicon Surface	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU