Казанский (Приволжский) федеральный университет, КФУ
КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
 
RSS Ins Вконтакте twitter facebook
OPTICALLY ADDRESSABLE SILICON VACANCY-RELATED SPIN CENTERS IN RHOMBIC SILICON CARBIDE WITH HIGH BREAKDOWN CHARACTERISTICS AND ENDOR EVIDENCE OF THEIR STRUCTURE
Форма представленияСтатьи в зарубежных журналах и сборниках
Год публикации2015
Языканглийский
  • Орлинский Сергей Борисович, автор
  • Явкин Борис Владимирович, автор
  • Солтамов, Толмачев, Бабунц, Бадалян, Давыдов, Мохов, Проскуряков, Баранов Виктор, Даниил, Роман, Андрей, Владимир, Евгений, Иван, Павел , автор
  • Библиографическое описание на языке оригинала 1. Soltamov V. A., Yavkin B. V., Tolmachev D. O., Babunts R. A., Badalyan A. G., Davydov V. Y., Mokhov E. N., Proskuryakov I. I., Orlinskii S. B., Baranov P. G. Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure // Physical Review Letters. ‒ 2015. ‒ T. 115, № 24. ‒ C. 247602.
    Ключевые слова Color centers and other defects, Optically detected magnetic resonance (ODMR), Electron-nuclear double resonance (ENDOR), electron double resonance (ELDOR), Indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity, slip, creep, strains, internal friction, EPR, NMR, etc.)
    Название журнала PHYS REV LETT
    Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку https://repository.kpfu.ru/?p_id=135662

    Полная запись метаданных