КФУ. Карточка публикации. Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure

RUS

- EN
- 中文
- ES

OPTICALLY ADDRESSABLE SILICON VACANCY-RELATED SPIN CENTERS IN RHOMBIC SILICON CARBIDE WITH HIGH BREAKDOWN CHARACTERISTICS AND ENDOR EVIDENCE OF THEIR STRUCTURE

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2015

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Орлинский Сергей Борисович, автор

Явкин Борис Владимирович, автор

Другие авторы

Солтамов, Толмачев, Бабунц, Бадалян, Давыдов, Мохов, Проскуряков, Баранов Виктор, Даниил, Роман, Андрей, Владимир, Евгений, Иван, Павел , автор

Библиографическое описание на языке оригинала

1. Soltamov V. A., Yavkin B. V., Tolmachev D. O., Babunts R. A., Badalyan A. G., Davydov V. Y., Mokhov E. N., Proskuryakov I. I., Orlinskii S. B., Baranov P. G. Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure // Physical Review Letters. ‒ 2015. ‒ T. 115, № 24. ‒ C. 247602.

Ключевые слова

Color centers and other defects, Optically detected magnetic resonance (ODMR), Electron-nuclear double resonance (ENDOR), electron double resonance (ELDOR), Indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity, slip, creep, strains, internal friction, EPR, NMR, etc.)

Название журнала

PHYS REV LETT

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=135662

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Орлинский Сергей Борисович	ru_RU
dc.contributor.author	Явкин Борис Владимирович	ru_RU
dc.contributor.author	Солтамов, Толмачев, Бабунц, Бадалян, Давыдов, Мохов, Проскуряков, Баранов Виктор, Даниил, Роман, Андрей, Владимир, Евгений, Иван, Павел	ru_RU
dc.date.accessioned	2015-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2015-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2015	ru_RU
dc.identifier.citation	1. Soltamov V. A., Yavkin B. V., Tolmachev D. O., Babunts R. A., Badalyan A. G., Davydov V. Y., Mokhov E. N., Proskuryakov I. I., Orlinskii S. B., Baranov P. G. Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure // Physical Review Letters. ‒ 2015. ‒ T. 115, № 24. ‒ C. 247602.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=135662	ru_RU
dc.description.abstract	PHYS REV LETT	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	Color centers and other defects	ru_RU
dc.subject	Optically detected magnetic resonance (ODMR)	ru_RU
dc.subject	Electron-nuclear double resonance (ENDOR)	ru_RU
dc.subject	electron double resonance (ELDOR)	ru_RU
dc.subject	Indirect evidence of dislocations and other defects (resistivity	ru_RU
dc.subject	slip	ru_RU
dc.subject	creep	ru_RU
dc.subject	strains	ru_RU
dc.subject	internal friction	ru_RU
dc.subject	EPR	ru_RU
dc.subject	NMR	ru_RU
dc.subject	etc.)	ru_RU
dc.title	Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU