Казанский (Приволжский) федеральный университет, КФУ
КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
 
OPTICALLY ADDRESSABLE SILICON VACANCY-RELATED SPIN CENTERS IN RHOMBIC SILICON CARBIDE WITH HIGH BREAKDOWN CHARACTERISTICS AND ENDOR EVIDENCE OF THEIR STRUCTURE
Форма представленияСтатьи в зарубежных журналах и сборниках
Год публикации2015
Языканглийский
  • Давыдов Владимир Иванович, автор
  • Орлинский Сергей Борисович, автор
  • Солтамов Виктор Андреевич, автор
  • Явкин Борис Владимирович, автор
  • Библиографическое описание на языке оригинала Soltamov V.A, Yavkin B.V, Tolmachev D.O, Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure//Physical Review Letters. - 2015. - Vol.115, Is.24. - Art. № 247602.
    Ключевые слова EPR, ENDOR, SiC, ODMR, qubit, material science
    Название журнала Physical Review Letters
    URL http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84949662090&partnerID=40&md5=52e6969ef3e659a67b579411dd2c674d
    Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку https://repository.kpfu.ru/?p_id=137756

    Полная запись метаданных