Форма представления | Статьи в зарубежных журналах и сборниках |
Год публикации | 2015 |
Язык | английский |
|
Давыдов Владимир Иванович, автор
Орлинский Сергей Борисович, автор
Солтамов Виктор Андреевич, автор
Явкин Борис Владимирович, автор
|
Библиографическое описание на языке оригинала |
Soltamov V.A, Yavkin B.V, Tolmachev D.O, Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure//Physical Review Letters. - 2015. - Vol.115, Is.24. - Art. № 247602. |
Ключевые слова |
EPR, ENDOR, SiC, ODMR, qubit, material science |
Название журнала |
Physical Review Letters
|
URL |
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84949662090&partnerID=40&md5=52e6969ef3e659a67b579411dd2c674d |
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=137756 |
Полная запись метаданных |
Поле DC |
Значение |
Язык |
dc.contributor.author |
Давыдов Владимир Иванович |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Орлинский Сергей Борисович |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Солтамов Виктор Андреевич |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Явкин Борис Владимирович |
ru_RU |
dc.date.accessioned |
2015-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.available |
2015-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.issued |
2015 |
ru_RU |
dc.identifier.citation |
Soltamov V.A, Yavkin B.V, Tolmachev D.O, Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure//Physical Review Letters. - 2015. - Vol.115, Is.24. - Art. № 247602. |
ru_RU |
dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=137756 |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Physical Review Letters |
ru_RU |
dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
dc.subject |
EPR |
ru_RU |
dc.subject |
ENDOR |
ru_RU |
dc.subject |
SiC |
ru_RU |
dc.subject |
ODMR |
ru_RU |
dc.subject |
qubit |
ru_RU |
dc.subject |
material science |
ru_RU |
dc.title |
Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure |
ru_RU |
dc.type |
Статьи в зарубежных журналах и сборниках |
ru_RU |
|