| Форма представления | Тезисы и материалы конференций в российских журналах и сборниках |
| Год публикации | 2014 |
| Язык | русский |
|
Петухов Денис Александрович, автор
Тагиров Ленар Рафгатович, автор
Усеинов Ниазбек Хамзович, автор
|
| Библиографическое описание на языке оригинала |
Петухов Д.А., Усеинов Н.Х., Тагиров Л.Р. Туннельное магнитосопротивление в асимметричных слоистых магнитных наноструктурах. - Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2014. - Т.1. - 208 с |
| Аннотация |
Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника? |
| Ключевые слова |
туннельное магнетосопротивление, спинтроника, магнитные наноструктуры |
| Название журнала |
Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника?
|
| URL |
http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2014_v1.pdf |
| Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=138024 |
Полная запись метаданных  |
| Поле DC |
Значение |
Язык |
| dc.contributor.author |
Петухов Денис Александрович |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Тагиров Ленар Рафгатович |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Усеинов Ниазбек Хамзович |
ru_RU |
| dc.date.accessioned |
2014-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.available |
2014-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.issued |
2014 |
ru_RU |
| dc.identifier.citation |
Петухов Д.А., Усеинов Н.Х., Тагиров Л.Р. Туннельное магнитосопротивление в асимметричных слоистых магнитных наноструктурах. - Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2014. - Т.1. - 208 с |
ru_RU |
| dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=138024 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника? |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
В работе теоретически исследуются слоистые двухбарьерные магнитные наноконтакты ферромагнетик-изолятор
(FML
/I1/FMW/I2/FMR
). На основе квазиклассической теории вычисляется спин-поляризованный ток через контакт. В приближе-
нии эффективной массы электронов проводимости, а также двухзонной модели ферромагнитных металлов рассчитываются
квантово-механические коэффициенты прохождения наноструктуры для каждого спинового канала. Показаны зависимости
тока и туннельного магнитосопротивления наноструктуры от приложенного напряжения. |
ru_RU |
| dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
| dc.subject |
туннельное магнетосопротивление |
ru_RU |
| dc.subject |
спинтроника |
ru_RU |
| dc.subject |
магнитные наноструктуры |
ru_RU |
| dc.title |
Туннельное магнитосопротивление в асимметричных слоистых магнитных наноструктурах |
ru_RU |
| dc.type |
Тезисы и материалы конференций в российских журналах и сборниках |
ru_RU |
|
EN 
中文 
ES 
Карта сайта
