КФУ. Карточка публикации. Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах

RUS

- EN
- 中文
- ES

ЗАВИСИМОСТЬ ТУННЕЛЬНОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ И ПЕРЕНОСА СПИНОВОГО МОМЕНТА ОТ РАЗМЕРОВ И КОНЦЕНТРАЦИИ НАНОЧАСТИЦ В МАГНИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ НАНОКОНТАКТАХ

Форма представления

Статьи в российских журналах и сборниках

Год публикации

2018

Язык

русский

Авторы, сотрудники КФУ

Усеинов Ниазбек Хамзович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Исмаили А.М. Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах / А.М. Исмаили, А.Н. Усеинов, Н.Х. Усеинов // ЖЭТФ, 2018, том 153, вып. 1, стр. 137-149.

Аннотация

Журнал экспериментальной и теоретической физики

Ключевые слова

туннельное магнитосопротивление, перенос спинового момента, магнитный туннельный контакт, наночастицы

Название журнала

Журнал Экспериментальной и теоретической физики

URL

http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/dn/r_153_0137.pdf

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=176504

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Усеинов Ниазбек Хамзович	ru_RU
dc.date.accessioned	2018-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2018-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2018	ru_RU
dc.identifier.citation	Исмаили А.М. Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах / А.М. Исмаили, А.Н. Усеинов, Н.Х. Усеинов // ЖЭТФ, 2018, том 153, вып. 1, стр. 137-149.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=176504	ru_RU
dc.description.abstract	Журнал Экспериментальной и теоретической физики	ru_RU
dc.description.abstract	Журнал экспериментальной и теоретической физики	ru_RU
dc.description.abstract	В работе вычислены зависимости туннельного магнитосопротивления (TMR) и параллельной компоненты переноса спинового момента (ПСМ) от приложенного напряжения в магнитном туннельном контакте (МТК). Расчёт выполнен в приближении баллистического транспорта электронов проводимости через изолирующий слой с внедрёнными в него магнитными или немагнитными наночастицами. Одно-барьерный МТК с внедрённой в изолятор наночастицей образует двух-барьерный магнитный туннельный контакт (ДБМТК). Показано, что значение ПСМ в ДБМТК может быть больше, чем в одно-барьерной МТК для той же самой толщины изолирующего слоя. Согласно расчетам, внедрённые в МТК наночастицы повышают вероятность туннелирования электронов, создают резонансные условия и обеспечивают квантование проводимости в отличие от МТК без наночастиц. Вычисленные зависимости TMR соответствуют экспериментальным данным, в которых наблюдаются пикообразные аномалии и подавления максимальных значений TMR при малых напряжениях.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	туннельное магнитосопротивление	ru_RU
dc.subject	перенос спинового момента	ru_RU
dc.subject	магнитный туннельный контакт	ru_RU
dc.subject	наночастицы	ru_RU
dc.title	Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах	ru_RU
dc.type	Статьи в российских журналах и сборниках	ru_RU