Форма представления | Тезисы и материалы конференций в российских журналах и сборниках |
Год публикации | 2019 |
Язык | русский |
|
Усеинов Ниазбек Хамзович, автор
|
Библиографическое описание на языке оригинала |
Усеинов Н.Х. Спин-зависящий электронный транспорт в наноконтакте на основе ферромагнетика, изолятора и антиферромагнетика // Труды XXIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”. – 11-14 Марта 2019. – Нижний Новгород. – Том 1. – Секция 2. Магнитные наноструктуры. – C. 290-291. |
Аннотация |
Труды XXIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника” |
Ключевые слова |
Спин-зависящий электронный транспорт, кондактанс, тунельное магнитосопротивление, антиферромагнетик. |
Название журнала |
Труды XXIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”
|
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=205573 |
Файлы ресурса | |
|
Полная запись метаданных |
Поле DC |
Значение |
Язык |
dc.contributor.author |
Усеинов Ниазбек Хамзович |
ru_RU |
dc.date.accessioned |
2019-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.available |
2019-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.issued |
2019 |
ru_RU |
dc.identifier.citation |
Усеинов Н.Х. Спин-зависящий электронный транспорт в наноконтакте на основе ферромагнетика, изолятора и антиферромагнетика // Труды XXIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”. – 11-14 Марта 2019. – Нижний Новгород. – Том 1. – Секция 2. Магнитные наноструктуры. – C. 290-291. |
ru_RU |
dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=205573 |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Труды XXIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника” |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Проводится теоретический расчёт и исследуется спин-зависящий электронный транспорт в планарном наноконтакте FML/I/AFMR, состоящем из ферромагнитного (FM) и антиферромагнитного (AFM) металлов, разделённых между собой изолятором I. Намагниченность AFM слоя может изменяться в зависимости от относительных углов между направлениями намагниченностей подрешёток AFM слоя и FM слоя. Вычисляются туннельные коэффициенты прохождения электронов проводимости с учётом спиновых степеней свободы. Рассчитываются кондактанс, туннельное магнитосопротивление как функции физических параметров наноконтакта и приложенного напряжения. |
ru_RU |
dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
dc.subject |
Спин-зависящий электронный транспорт |
ru_RU |
dc.subject |
кондактанс |
ru_RU |
dc.subject |
тунельное магнитосопротивление |
ru_RU |
dc.subject |
антиферромагнетик. |
ru_RU |
dc.title |
Спин-зависящий электронный транспорт в наноконтакте на основе ферромагнетика, изолятора и антиферромагнетика |
ru_RU |
dc.type |
Тезисы и материалы конференций в российских журналах и сборниках |
ru_RU |
|