КФУ. Карточка публикации. Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

PHOTOELECTRIC AND MAGNETIC PROPERTIES OF FE-HYPERDOPED SI LAYERS FORMED BY THE RECOIL-ATOM IMPLANTATION

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2020

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Гумаров Амир Илдусович, автор

Тагиров Ленар Рафгатович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Batalov R, Bayazitov R, Faizrakhmanov I, Khaibullin R, Tagirov L, Gumarov A, Vdovin V. Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation//Materials Science in Semiconductor Processing. - 2020. - Vol.105, Is.. - Art. № 104752.

Аннотация

Исследовано легирование приповерхностной области монокристаллического Si p-типа примесью Fe при облучении низкоэнергетическим и сильноточным пучком ионов Xe. Применен метод имплантации атомов отдачи, который предусматривает одновременное распыление мишени Fe с облучением осажденных атомов Fe на поверхности подложки Si пучком ионов Xe. Получающееся включение атомов Fe в Si приводит к образованию очень тонкого (5 нм) высоколегированного (> 10^22 ат/см3) поверхностного слоя (Si: Fe), содержащего наночастицы Si и a-Fe с размерами 5-20 нм. Такой слой демонстрирует ферромагнетизм при Т = 10 К и суперпарамагнетизм при 300 К. Наблюдается инверсия типа проводимости (от p- к n-типу) в сильно легированном слое Si: Fe и образование n-p-перехода к подложке. Фотоотклик полученной таким образом диодной структуры n-Si: Fe / p-Si демонстрирует интенсивный сигнал в диапазоне длин волн 500-1200 нм с максимумом около 950 нм при низком напряжении обратного смещения (U = 1 В), у которого интегральная интенсивность сравнима с таковой для коммерческого кремниевого фотодиода при U = 10 В.

Ключевые слова

Silicon, Iron, Hyperdoping, Ion beam, Ion sputtering, Nanoparticles, Ferromagnetism, Photoresponse

Название журнала

Materials Science in Semiconductor Processing

URL

https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85072540286&doi=10.1016%2fj.mssp.2019.104752&partnerID=40&md5=6d4da31442f733f9f0518bea6520aad5

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=221971

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Гумаров Амир Илдусович	ru_RU
dc.contributor.author	Тагиров Ленар Рафгатович	ru_RU
dc.date.accessioned	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2020	ru_RU
dc.identifier.citation	Batalov R, Bayazitov R, Faizrakhmanov I, Khaibullin R, Tagirov L, Gumarov A, Vdovin V. Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation//Materials Science in Semiconductor Processing. - 2020. - Vol.105, Is.. - Art. № 104752.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=221971	ru_RU
dc.description.abstract	Materials Science in Semiconductor Processing	ru_RU
dc.description.abstract	Исследовано легирование приповерхностной области монокристаллического Si p-типа примесью Fe при облучении низкоэнергетическим и сильноточным пучком ионов Xe. Применен метод имплантации атомов отдачи, который предусматривает одновременное распыление мишени Fe с облучением осажденных атомов Fe на поверхности подложки Si пучком ионов Xe. Получающееся включение атомов Fe в Si приводит к образованию очень тонкого (5 нм) высоколегированного (> 10^22 ат/см3) поверхностного слоя (Si: Fe), содержащего наночастицы Si и a-Fe с размерами 5-20 нм. Такой слой демонстрирует ферромагнетизм при Т = 10 К и суперпарамагнетизм при 300 К. Наблюдается инверсия типа проводимости (от p- к n-типу) в сильно легированном слое Si: Fe и образование n-p-перехода к подложке. Фотоотклик полученной таким образом диодной структуры n-Si: Fe / p-Si демонстрирует интенсивный сигнал в диапазоне длин волн 500-1200 нм с максимумом около 950 нм при низком напряжении обратного смещения (U = 1 В), у которого интегральная интенсивность сравнима с таковой для коммерческого кремниевого фотодиода при U = 10 В.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	Silicon	ru_RU
dc.subject	Iron	ru_RU
dc.subject	Hyperdoping	ru_RU
dc.subject	Ion beam	ru_RU
dc.subject	Ion sputtering	ru_RU
dc.subject	Nanoparticles	ru_RU
dc.subject	Ferromagnetism	ru_RU
dc.subject	Photoresponse	ru_RU
dc.title	Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU