КФУ. Карточка публикации. Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

МЕХАНИЗМ ПОГЛОЩЕНИЯ ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ В ОБЛУЧЕННЫХ ОКСИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ

Форма представления

Тезисы и материалы конференций в российских журналах и сборниках

Год публикации

2020

Язык

русский

Авторы, сотрудники КФУ

Насыров Искандар Наилович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Насыров И.Н. Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах // Высокие технологии и инновации в науке: сб. избр. статей междунар. науч. конф. (г. Санкт-Петербург, 28 мая 2020 г.). Санкт-Петербург: Гуманитарный национальный иссл. ин-т «Нацразвитие», 2020. С. 269-273.

Аннотация

Высокие технологии и инновации в науке

Ключевые слова

кристалл, центр окраски, поглощение

Название журнала

Высокие технологии и инновации в науке

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=233872

Файлы ресурса

Название файла	Размер (Мб)	Формат
F_Mekhanizm_pogloshheniya_centrami_okraski_v_obluchennykh_oksidnykh_kristallakh.pdf	0,72	pdf	посмотреть / скачать

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Насыров Искандар Наилович	ru_RU
dc.date.accessioned	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2020	ru_RU
dc.identifier.citation	Насыров И.Н. Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах // Высокие технологии и инновации в науке: сб. избр. статей междунар. науч. конф. (г. Санкт-Петербург, 28 мая 2020 г.). Санкт-Петербург: Гуманитарный национальный иссл. ин-т «Нацразвитие», 2020. С. 269-273.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=233872	ru_RU
dc.description.abstract	Высокие технологии и инновации в науке	ru_RU
dc.description.abstract	Имеющиеся в чистых и примесных оксидных кристаллах дефекты после коротковолнового облучения перезаряжаются, что приводит к увеличению поглощения в видимом спектре при одновременном уменьшении в ультрафиолете. После нагрева кристаллов спектр поглощения возвращается в исходное состояние. Механизм поглощения перезаряженными дефектами – центрами окраски обусловлен захваченными на дефектах электронами.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	кристалл	ru_RU
dc.subject	центр окраски	ru_RU
dc.subject	поглощение	ru_RU
dc.title	Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах	ru_RU
dc.type	Тезисы и материалы конференций в российских журналах и сборниках	ru_RU