Казанский (Приволжский) федеральный университет, КФУ
КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
 
EPITAXIAL GROWTH AND SUPERCONDUCTING PROPERTIES OF THIN-FILM PDFE/VN AND VN/PDFE BILAYERS ON MGO(001) SUBSTRATES
Форма представленияСтатьи в зарубежных журналах и сборниках
Год публикации2020
Языканглийский
  • Гумаров Амир Илдусович, автор
  • Киямов Айрат Газинурович, автор
  • Тагиров Ленар Рафгатович, автор
  • Юсупов Роман Валерьевич, автор
  • Янилкин Игорь Витальевич, автор
  • Библиографическое описание на языке оригинала Mohammed W.M, Yanilkin I.V, Gumarov A.I, Kiiamov A.G., Yusupov R.V., Tagirov L.R., Epitaxial growth and superconducting properties of thin-film PdFe/VN and VN/PdFe bilayers on MgO(001) substrates//Beilstein Journal of Nanotechnology. - 2020. - Vol.11, Is.. - P.807-813.
    Аннотация Однослойные нитрид ванадия (VN) и двухслойные тонкопленочные гетероструктуры Pd0,96Fe0,04/VN и VN/Pd0,92Fe0,08 со сплавами палладий-железо синтезированы на (001)-ориентированном монокристаллическом оксиде магния (MgO) подложка с использованием 4-х камерной сверхвысоковакуумной системы осаждения и анализа. Слой VN был реактивно магнетронным распылением от металлической ванадиевой мишени в плазме Ar/N, в то время как слои Pd1-xFex наносились путем совместного испарения металлических гранул Pd и Fe из калиброванных эффузионных ячеек в камере молекулярно-лучевой эпитаксии. Стехиометрию VN и состав Pd1-xFex контролировали методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. In-situ низкоэнергетическая электронография и рентгеновская дифракция ex-situ показали, что однослойный VN толщиной 30 нм, а также двухслойный VN (30 нм) /Pd0,92Fe0,08 (12 нм) и Pd0. Структуры 96Fe0.04 (20 нм) / VN (30 нм) выросли эпитаксиально «куб-на-кубе«. Измерения электрического сопротивления демонстрируют температурную зависимость металлического типа для пленки VN с небольшим остаточным удельным сопротивлением 9 мкОм ? см при 10 К, что указывает на высокую чистоту и структурное качество пленки. Переход в сверхпроводящее состояние наблюдался при 7,7 К для пленки VN, при 7,2 К для Pd0,96Fe0,04 / VN и 6,1 К для гетероструктур VN / Pd0,92Fe0,08 с понижением критической температуры вследствие эффект близости. Вопреки ожиданиям, все переходы были очень резкими с шириной от 25 мК для VN до 50 мК для структуры VN / Pd0.92Fe0.08. Мы предлагаем эпитаксиальные монокристаллические тонкие пленки VN и гетероэпитаксиальные структуры Pd1xFex / VN и VN / Pd1xFex (x ≤ 0,08), выращенные на MgO (001), в качестве материалов выбора для улучшения характеристик памяти со сверхпроводящим магнитным произвольным доступом.
    Ключевые слова Epitaxial growth, Epitaxial superconductor-ferromagnet heterostructure, Palladium-iron alloy (PdFe), Superconducting spintronics, Vanadium nitride (VN)
    Название журнала BEILSTEIN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY
    URL https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85085247017&doi=10.3762%2fbjnano.11.65&partnerID=40&md5=33bceb51855ca192259d3986cf1696ac
    Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку https://repository.kpfu.ru/?p_id=234429

    Полная запись метаданных