КФУ. Карточка публикации. Spin-Dependent Electron Transport in MeRAM

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

SPIN-DEPENDENT ELECTRON TRANSPORT IN MERAM

Форма представления

Статьи в российских журналах и сборниках

Год публикации

2020

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Усеинов Ниазбек Хамзович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Useinov, N. Kh. Spin-Dependent Electron Transport in MeRAM [Text] / N. Kh. Useinov, A. P. Chuklanov, D. A. Bizyaev, N. I. Nurgazizov, A. A. Bukharaev // Физика твердого тела, 2020, том 62, вып. 9, стр. 1542.

Аннотация

The paper presents theoretical model of a straintronics magnetoelectric random-access memory (MeRAM) storage cell with configurational anisotropy. The MeRAM cell consists of ferromagnetic layers with different orientations of the quasi-uniform magnetization, which is divided into identical magnetic tunnel junction's ferromagnct|insulator|fcrromagnet, in the form of a sandwich of planar layers. The modified theory for magnetic tunnel junction is used to calculate the spin-dependent current and tunnel magnctorcsistance like functions of orientations magnetizations of layers.

Ключевые слова

Straintronics, magnetic heterostructure, magnetic tunnel junction, spin-dependent current, tunnel magnetoresistance

Название журнала

Физика твердого тела

URL

http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/49783

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=234943

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Усеинов Ниазбек Хамзович	ru_RU
dc.date.accessioned	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2020	ru_RU
dc.identifier.citation	Useinov, N. Kh. Spin-Dependent Electron Transport in MeRAM [Text] / N. Kh. Useinov, A. P. Chuklanov, D. A. Bizyaev, N. I. Nurgazizov, A. A. Bukharaev // Физика твердого тела, 2020, том 62, вып. 9, стр. 1542.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=234943	ru_RU
dc.description.abstract	Физика твердого тела	ru_RU
dc.description.abstract	The paper presents theoretical model of a straintronics magnetoelectric random-access memory (MeRAM) storage cell with configurational anisotropy. The MeRAM cell consists of ferromagnetic layers with different orientations of the quasi-uniform magnetization, which is divided into identical magnetic tunnel junction's ferromagnct\|insulator\|fcrromagnet, in the form of a sandwich of planar layers. The modified theory for magnetic tunnel junction is used to calculate the spin-dependent current and tunnel magnctorcsistance like functions of orientations magnetizations of layers.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	Straintronics	ru_RU
dc.subject	magnetic heterostructure	ru_RU
dc.subject	magnetic tunnel junction	ru_RU
dc.subject	spin-dependent current	ru_RU
dc.subject	tunnel magnetoresistance	ru_RU
dc.title	Spin-Dependent Electron Transport in MeRAM	ru_RU
dc.type	Статьи в российских журналах и сборниках	ru_RU