КФУ. Карточка публикации. Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

ANALYSIS OF SURFACE MORPHOLOGY AND CHEMICAL COMPOSITION OF SILICON IMPLANTED WITH COPPER IONS

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2020

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Гумаров Амир Илдусович, автор

Рогов Алексей Михайлович, автор

Тагиров Ленар Рафгатович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Vorob'ev V.V, Gumarov A.I, Tagirov L.R, Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions//Technical Physics. - 2020. - Vol.65, Is.10. - P.1643-1651.

Аннотация

Представлены результаты исследований структуры и химического состава поверхности монокристал- лических подложек кремния c-Si, имплантированных ионами Cu+ с энергией 40 keV и дозами в диа- пазоне 3.1 ? 1015 −1.25 ? 1017 ions/cm2 при плотности тока в ионном пучке 8 μA/cm2. Методами скани- рующей электронной и зондовой микроскопии в сочетании с рентгеновской фотоэлектронной и оже- электронной спектроскопии установлено, что на начальной стадии облучения ионами Cu+ до величины дозы 6.25 ? 1016 ions/cm2, в приповерхностном слое Si формируются металлические наночастицы Cu со средним размером 10 nm. При дальнейшем росте дозы имплантации, начиная со значения 1.25 ? 1017 ions/cm2 и выше, происходит зарождение -фазы силицида меди — -Cu3Si. Данное обстоятельство обусловлено разогревом приповерхностного слоя подложки Si во время ее облучения до температуры, способствующей фазообразованию -Cu3Si.

Ключевые слова

ion implantation, semiconductors, microscopy

Название журнала

Technical Physics

URL

https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85094654327&doi=10.1134%2fS1063784220100242&partnerID=40&md5=0c656ad194dea7ca038f66aeb918fffe

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=242466

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Гумаров Амир Илдусович	ru_RU
dc.contributor.author	Рогов Алексей Михайлович	ru_RU
dc.contributor.author	Тагиров Ленар Рафгатович	ru_RU
dc.date.accessioned	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2020	ru_RU
dc.identifier.citation	Vorob'ev V.V, Gumarov A.I, Tagirov L.R, Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions//Technical Physics. - 2020. - Vol.65, Is.10. - P.1643-1651.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=242466	ru_RU
dc.description.abstract	Technical Physics	ru_RU
dc.description.abstract	Представлены результаты исследований структуры и химического состава поверхности монокристал- лических подложек кремния c-Si, имплантированных ионами Cu+ с энергией 40 keV и дозами в диа- пазоне 3.1 ? 1015 −1.25 ? 1017 ions/cm2 при плотности тока в ионном пучке 8 μA/cm2. Методами скани- рующей электронной и зондовой микроскопии в сочетании с рентгеновской фотоэлектронной и оже- электронной спектроскопии установлено, что на начальной стадии облучения ионами Cu+ до величины дозы 6.25 ? 1016 ions/cm2, в приповерхностном слое Si формируются металлические наночастицы Cu со средним размером 10 nm. При дальнейшем росте дозы имплантации, начиная со значения 1.25 ? 1017 ions/cm2 и выше, происходит зарождение -фазы силицида меди — -Cu3Si. Данное обстоятельство обусловлено разогревом приповерхностного слоя подложки Si во время ее облучения до температуры, способствующей фазообразованию -Cu3Si.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	ion implantation	ru_RU
dc.subject	semiconductors	ru_RU
dc.subject	microscopy	ru_RU
dc.title	Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU