КФУ. Карточка публикации. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

SIMULATION OF THE NANOSCALE INTERCONNECTS WITHIN A SPIN-RESOLVED ELECTRON TRANSPORT MODEL

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2020

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Тагиров Ленар Рафгатович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Useinov A, Lin H.-H, Useinov N, Tagirov L.R. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model//2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. - 2020. - Vol., Is.. - P.72-73.

Аннотация

Работа представляет собой теоретическое моделирование электрической проводимости в межсоединениях наносейла в рамках подхода модели расширенного точечного контакта (ПК). Подход описывает диффузный, квазибаллистический, баллистический и квантовый режимы спин-разрешенной проводимости, что важно для разработки моделей гетеропереходов, включая межсоединения 2D-3D. В качестве преимущества модель обеспечивает унифицированное описание контактного сопротивления от диффузионного Максвелла через баллистический режим до чисто квантового транспортного режима без остаточных членов. Модель ПК предполагает, что контактную площадку можно заменить сложным квантовым устройством, например одиночный туннельный переход, узкая магнитная доменная стенка (DW), вакуумный зазор между наконечником и поверхностью, канал транзистора между истоком и стоком и т. д. Ландшафт потенциальной энергии устройства определяет его электрические свойства.

Ключевые слова

spintronics, spin-resolved transport, modeling

Название журнала

2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020

URL

https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85093670337&doi=10.1109%2fVLSI-TSA48913.2020.9203729&partnerID=40&md5=b32c65691a934b2217fd940e2aec49f4

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=242775

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Тагиров Ленар Рафгатович	ru_RU
dc.date.accessioned	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2020	ru_RU
dc.identifier.citation	Useinov A, Lin H.-H, Useinov N, Tagirov L.R. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model//2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. - 2020. - Vol., Is.. - P.72-73.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=242775	ru_RU
dc.description.abstract	2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020	ru_RU
dc.description.abstract	Работа представляет собой теоретическое моделирование электрической проводимости в межсоединениях наносейла в рамках подхода модели расширенного точечного контакта (ПК). Подход описывает диффузный, квазибаллистический, баллистический и квантовый режимы спин-разрешенной проводимости, что важно для разработки моделей гетеропереходов, включая межсоединения 2D-3D. В качестве преимущества модель обеспечивает унифицированное описание контактного сопротивления от диффузионного Максвелла через баллистический режим до чисто квантового транспортного режима без остаточных членов. Модель ПК предполагает, что контактную площадку можно заменить сложным квантовым устройством, например одиночный туннельный переход, узкая магнитная доменная стенка (DW), вакуумный зазор между наконечником и поверхностью, канал транзистора между истоком и стоком и т. д. Ландшафт потенциальной энергии устройства определяет его электрические свойства.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	spintronics	ru_RU
dc.subject	spin-resolved transport	ru_RU
dc.subject	modeling	ru_RU
dc.title	Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU