| Форма представления | Статьи в зарубежных журналах и сборниках |
| Год публикации | 2020 |
| Язык | английский |
|
Тагиров Ленар Рафгатович, автор
Усеинов Ниазбек Хамзович, автор
|
| Библиографическое описание на языке оригинала |
Useinov A, Lin H.-H, Useinov N, Tagirov L.R. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model//2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. - 2020. - Vol., Is.. - P.72-73. |
| Аннотация |
Работа представляет собой теоретическое моделирование электрической проводимости в межсоединениях наносейла в рамках подхода модели расширенного точечного контакта (ПК). Подход описывает диффузный, квазибаллистический, баллистический и квантовый режимы спин-разрешенной проводимости, что важно для разработки моделей гетеропереходов, включая межсоединения 2D-3D. В качестве преимущества модель обеспечивает унифицированное описание контактного сопротивления от диффузионного Максвелла через баллистический режим до чисто квантового транспортного режима без остаточных членов. Модель ПК предполагает, что контактную площадку можно заменить сложным квантовым устройством, например одиночный туннельный переход, узкая магнитная доменная стенка (DW), вакуумный зазор между наконечником и поверхностью, канал транзистора между истоком и стоком и т. д. Ландшафт потенциальной энергии устройства определяет его электрические свойства. |
| Ключевые слова |
spintronics, spin-resolved transport, modeling |
| Название журнала |
2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020
|
| URL |
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85093670337&doi=10.1109%2fVLSI-TSA48913.2020.9203729&partnerID=40&md5=b32c65691a934b2217fd940e2aec49f4 |
| Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=242775 |
Полная запись метаданных  |
| Поле DC |
Значение |
Язык |
| dc.contributor.author |
Тагиров Ленар Рафгатович |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Усеинов Ниазбек Хамзович |
ru_RU |
| dc.date.accessioned |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.available |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.issued |
2020 |
ru_RU |
| dc.identifier.citation |
Useinov A, Lin H.-H, Useinov N, Tagirov L.R. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model//2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. - 2020. - Vol., Is.. - P.72-73. |
ru_RU |
| dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=242775 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Работа представляет собой теоретическое моделирование электрической проводимости в межсоединениях наносейла в рамках подхода модели расширенного точечного контакта (ПК). Подход описывает диффузный, квазибаллистический, баллистический и квантовый режимы спин-разрешенной проводимости, что важно для разработки моделей гетеропереходов, включая межсоединения 2D-3D. В качестве преимущества модель обеспечивает унифицированное описание контактного сопротивления от диффузионного Максвелла через баллистический режим до чисто квантового транспортного режима без остаточных членов. Модель ПК предполагает, что контактную площадку можно заменить сложным квантовым устройством, например одиночный туннельный переход, узкая магнитная доменная стенка (DW), вакуумный зазор между наконечником и поверхностью, канал транзистора между истоком и стоком и т. д. Ландшафт потенциальной энергии устройства определяет его электрические свойства. |
ru_RU |
| dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
| dc.subject |
spintronics |
ru_RU |
| dc.subject |
spin-resolved transport |
ru_RU |
| dc.subject |
modeling |
ru_RU |
| dc.title |
Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model |
ru_RU |
| dc.type |
Статьи в зарубежных журналах и сборниках |
ru_RU |
|
EN 
中文 
ES 
Карта сайта
