КФУ. Карточка публикации. Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTix FeSb

КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

RUS

- EN
- 中文
- ES

DEFECT CHARGING AND RESONANT LEVELS IN HALF-HEUSLER NB1-XTIX FESB

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2021

Язык

английский

Авторы, сотрудники КФУ

Вагизов Фарит Габдулхакович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

Tian Y, Vagizov F.G, Ghassemi N, Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTix FeSb//Materials Today Physics. - 2021. - Vol.16, Is.. - Art. № 100278.

Ключевые слова

Half-Heusler, NMR, Mossbauer, Charging defect, Resonant state

Название журнала

Materials Today Physics

URL

https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85094193866&doi=10.1016%2fj.mtphys.2020.100278&partnerID=40&md5=e3f087e0b062928f7ca093edfaf0d0bc

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=242825

Файлы ресурса

Название файла	Размер (Мб)	Формат
Defect_charging_and_resonant_levels_in_half__eusler_Nb1_xTix_FeSb.pdf	1,58	pdf	посмотреть / скачать

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Вагизов Фарит Габдулхакович	ru_RU
dc.date.accessioned	2021-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2021-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2021	ru_RU
dc.identifier.citation	Tian Y, Vagizov F.G, Ghassemi N, Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTix FeSb//Materials Today Physics. - 2021. - Vol.16, Is.. - Art. № 100278.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=242825	ru_RU
dc.description.abstract	Materials Today Physics	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	Half-Heusler	ru_RU
dc.subject	NMR	ru_RU
dc.subject	Mossbauer	ru_RU
dc.subject	Charging defect	ru_RU
dc.subject	Resonant state	ru_RU
dc.title	Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTix FeSb	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU