Казанский (Приволжский) федеральный университет, КФУ
КАЗАНСКИЙ
ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
 
DEFECT CHARGING AND RESONANT LEVELS IN HALF-HEUSLER NB1-XTIX FESB
Форма представленияСтатьи в зарубежных журналах и сборниках
Год публикации2021
Языканглийский
  • Вагизов Фарит Габдулхакович, автор
  • Библиографическое описание на языке оригинала Tian Y, Vagizov F.G, Ghassemi N, Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTix FeSb//Materials Today Physics. - 2021. - Vol.16, Is.. - Art. № 100278.
    Ключевые слова Half-Heusler, NMR, Mossbauer, Charging defect, Resonant state
    Название журнала Materials Today Physics
    URL https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85094193866&doi=10.1016%2fj.mtphys.2020.100278&partnerID=40&md5=e3f087e0b062928f7ca093edfaf0d0bc
    Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку https://repository.kpfu.ru/?p_id=242825
    Файлы ресурса 
    Название файла Размер (Мб) Формат  
    Defect_charging_and_resonant_levels_in_half__eusler_Nb1_xTix_FeSb.pdf 1,58 pdf посмотреть / скачать

    Полная запись метаданных