КФУ. Карточка публикации. 202. N.I. Nurgazizov, A.A. Bukharaev, Roza M.Aminova and D.V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of International Conference “Micro- and Nanoelectronics - 2003” (ICMNE-2003), Zvenigorod, Moskow district, October 6-10, 2003. С. 203. Niaz I. Nurgazizov, Anastas A. Bukharaev, Roza M.Aminova and Denis V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of SPIE, Micro- and Nanoelectronics

RUS

- EN
- 中文
- ES

202. N.I. NURGAZIZOV, A.A. BUKHARAEV, ROZA M.AMINOVA AND D.V.OVCHINNIKOV. INVESTIGATION OF DISSOLUTION PROCESS OF IMPLANTED SILICON DIOXIDE. PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE &LDQUO;MICRO- AND NANOELECTRONICS - 2003&RDQUO; (ICMNE-2003), ZVENIGOROD, MOSKOW DISTRICT, OCTOBER 6-10, 2003. С. 203. NIAZ I. NURGAZIZOV, ANASTAS A. BUKHARAEV, ROZA M.AMINOVA AND DENIS V.OVCHINNIKOV. INVESTIGATION OF DISSOLUTION PROCESS OF IMPLANTED SILICON DIOXIDE. PROCEEDINGS OF SPIE, MICRO- AND NANOELECTRONICS &NDASH;2003 , VOL. 5401, PP. 147-154 (2003).

Форма представления

Статьи в зарубежных журналах и сборниках

Год публикации

2003

Авторы, сотрудники КФУ

Аминова Роза Мухаметовна, автор

Бухараев Анастас Ахметович, автор

Библиографическое описание на языке оригинала

202. Niaz I. Nurgazizov, Anastas A. Bukharaev, Roza M.Aminova and Denis V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of International Conference “Micro- and Nanoelectronics - 2003” (ICMNE-2003), Zvenigorod, Moskow district, October 6-10, 2003. С. 203. Niaz I. Nurgazizov, Anastas A. Bukharaev, Roza M.Aminova and Denis V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of SPIE, Micro- and Nanoelectronics –2003 , vol. 5401, pp. 147-154 (2003).

Аннотация

Proceedings of Spie

Ключевые слова

диоксид кремния, теория функционала плотности

Название журнала

Proceedings of Spie

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку

https://repository.kpfu.ru/?p_id=78899

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Аминова Роза Мухаметовна	ru_RU
dc.contributor.author	Бухараев Анастас Ахметович	ru_RU
dc.date.accessioned	2003-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2003-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2003	ru_RU
dc.identifier.citation	202. Niaz I. Nurgazizov, Anastas A. Bukharaev, Roza M.Aminova and Denis V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of International Conference “Micro- and Nanoelectronics - 2003” (ICMNE-2003), Zvenigorod, Moskow district, October 6-10, 2003. С. 203. Niaz I. Nurgazizov, Anastas A. Bukharaev, Roza M.Aminova and Denis V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of SPIE, Micro- and Nanoelectronics –2003 , vol. 5401, pp. 147-154 (2003).	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/?p_id=78899	ru_RU
dc.description.abstract	Proceedings of Spie	ru_RU
dc.description.abstract	Proceedings of Spie	ru_RU
dc.description.abstract	Методами квантовой химии изучена структура имплантированного диоксида кремния на поверхности	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	диоксид кремния	ru_RU
dc.subject	теория функционала плотности	ru_RU
dc.title	202. N.I. Nurgazizov, A.A. Bukharaev, Roza M.Aminova and D.V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of International Conference “Micro- and Nanoelectronics - 2003” (ICMNE-2003), Zvenigorod, Moskow district, October 6-10, 2003. С. 203. Niaz I. Nurgazizov, Anastas A. Bukharaev, Roza M.Aminova and Denis V.Ovchinnikov. Investigation of dissolution process of implanted silicon dioxide. Proceedings of SPIE, Micro- and Nanoelectronics –2003 , vol. 5401, pp. 147-154 (2003).	ru_RU
dc.type	Статьи в зарубежных журналах и сборниках	ru_RU