Форма представления | Российские патенты |
Год публикации | 2015 |
Язык | русский |
|
Гафуров Марат Ревгерович, автор
|
Другие авторы |
ФГАОУ ВПО КФУ, ООО "ТНГ-Групп" |
Библиографическое описание на языке оригинала |
"Способ определения фактора насыщения электронных переходов парамагнитной подсистемы в веществе." Патент на изобретение RU 2547899 Дата начала отсчета срока действия патента:
19.11.2013. Опубликовано: 10.04.2015 Бюл. № 10.
Автор: М.Р. Гафуров. Патентообладатели: ФГАОУ ВПО КФУ, ООО "ТНГ-Групп" |
Аннотация |
Использование эффекта двойного электронно-ядерного резонанса (ДЭЯР), динамической поляризации ядер (ДПЯ) для определения характеристик парамагнитных систем в веществе, что может найти свое применение при создании новых поляризующих и контрастных агентов в целях диагностики заболеваний методами ЯМР и ЭПР. |
Ключевые слова |
ЭПР, ДПЯ, фактор насыщения |
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на эту карточку |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=98532 |
Файлы ресурса | |
|
Полная запись метаданных |
Поле DC |
Значение |
Язык |
dc.contributor.author |
Гафуров Марат Ревгерович |
ru_RU |
dc.date.accessioned |
2015-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.available |
2015-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.issued |
2015 |
ru_RU |
dc.identifier.citation |
"Способ определения фактора насыщения электронных переходов парамагнитной подсистемы в веществе." Патент на изобретение RU 2547899 Дата начала отсчета срока действия патента:
19.11.2013. Опубликовано: 10.04.2015 Бюл. № 10.
Автор: М.Р. Гафуров. Патентообладатели: ФГАОУ ВПО КФУ, ООО "ТНГ-Групп" |
ru_RU |
dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/?p_id=98532 |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Использование эффекта двойного электронно-ядерного резонанса (ДЭЯР), динамической поляризации ядер (ДПЯ) для определения характеристик парамагнитных систем в веществе, что может найти свое применение при создании новых поляризующих и контрастных агентов в целях диагностики заболеваний методами ЯМР и ЭПР. |
ru_RU |
dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
dc.subject |
ЭПР |
ru_RU |
dc.subject |
ДПЯ |
ru_RU |
dc.subject |
фактор насыщения |
ru_RU |
dc.title |
Способ определения фактора насыщения электронных переходов парамагнитной подсистемы в веществе. Патент на изобретение. |
ru_RU |
dc.type |
Российские патенты |
ru_RU |
|