KFU. Card publication. Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах

- RUS
- 中文
- ES

ЗАВИСИМОСТЬ ТУННЕЛЬНОГО МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ И ПЕРЕНОСА СПИНОВОГО МОМЕНТА ОТ РАЗМЕРОВ И КОНЦЕНТРАЦИИ НАНОЧАСТИЦ В МАГНИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ НАНОКОНТАКТАХ

Form of presentation

Articles in Russian journals and collections

Year of publication

2018

Язык

русский

Authors, employees of KFU

Useinov Niazbek Khamzovich, author

Bibliographic description in the original language

Ismaili A.M. Zavisimost tunnelnogo magnitosoprotivleniya i perenosa spinovogo momenta ot razmerov i koncentracii nanochastic v magnitnykh tunnelnykh nanokontaktakh / A.M. Ismaili, A.N. Useinov, N.Kh. Useinov // ZhETF, 2018, tom 153, vyp. 1, str. 137-149.

Annotation

Журнал экспериментальной и теоретической физики

Keywords

туннельное магнитосопротивление, перенос спинового момента, магнитный туннельный контакт, наночастицы

The name of the journal

Журнал Экспериментальной и теоретической физики

URL

http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/dn/r_153_0137.pdf

Please use this ID to quote from or refer to the card

https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=176504&p_lang=2

Full metadata record

Field DC	Value	Language
dc.contributor.author	Useinov Niazbek Khamzovich	ru_RU
dc.date.accessioned	2018-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2018-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2018	ru_RU
dc.identifier.citation	Исмаили А.М. Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах / А.М. Исмаили, А.Н. Усеинов, Н.Х. Усеинов // ЖЭТФ, 2018, том 153, вып. 1, стр. 137-149.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=176504&p_lang=2	ru_RU
dc.description.abstract	Журнал Экспериментальной и теоретической физики	ru_RU
dc.description.abstract	Журнал экспериментальной и теоретической физики	ru_RU
dc.description.abstract	В работе вычислены зависимости туннельного магнитосопротивления (TMR) и параллельной компоненты переноса спинового момента (ПСМ) от приложенного напряжения в магнитном туннельном контакте (МТК). Расчёт выполнен в приближении баллистического транспорта электронов проводимости через изолирующий слой с внедрёнными в него магнитными или немагнитными наночастицами. Одно-барьерный МТК с внедрённой в изолятор наночастицей образует двух-барьерный магнитный туннельный контакт (ДБМТК). Показано, что значение ПСМ в ДБМТК может быть больше, чем в одно-барьерной МТК для той же самой толщины изолирующего слоя. Согласно расчетам, внедрённые в МТК наночастицы повышают вероятность туннелирования электронов, создают резонансные условия и обеспечивают квантование проводимости в отличие от МТК без наночастиц. Вычисленные зависимости TMR соответствуют экспериментальным данным, в которых наблюдаются пикообразные аномалии и подавления максимальных значений TMR при малых напряжениях.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	туннельное магнитосопротивление	ru_RU
dc.subject	перенос спинового момента	ru_RU
dc.subject	магнитный туннельный контакт	ru_RU
dc.subject	наночастицы	ru_RU
dc.title	Зависимость туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах	ru_RU
dc.type	Articles in Russian journals and collections	ru_RU