KFU. Card publication. Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах

KAZAN
FEDERAL UNIVERSITY

- RUS
- 中文
- ES

МЕХАНИЗМ ПОГЛОЩЕНИЯ ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ В ОБЛУЧЕННЫХ ОКСИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ

Form of presentation

Conference proceedings in Russian journals and collections

Year of publication

2020

Язык

русский

Authors, employees of KFU

Nasyrov Iskandar Nailovich, author

Bibliographic description in the original language

Nasyrov I.N. Mekhanizm pogloshheniya centrami okraski v obluchennykh oksidnykh kristallakh // Vysokie tekhnologii i innovacii v nauke: sb. izbr. statey mezhdunar. nauch. konf. (g. Sankt-Peterburg, 28 maya 2020 g.). Sankt-Peterburg: Gumanitarnyy nacionalnyy issl. in-t «Nacrazvitie», 2020. S. 269-273.

Annotation

Высокие технологии и инновации в науке

Keywords

кристалл, центр окраски, поглощение

The name of the journal

Высокие технологии и инновации в науке

Please use this ID to quote from or refer to the card

https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=233872&p_lang=2

Resource files

File name	Size (MB)	Format
F_Mekhanizm_pogloshheniya_centrami_okraski_v_obluchennykh_oksidnykh_kristallakh.pdf	0,72	pdf	show / download

Full metadata record

Field DC	Value	Language
dc.contributor.author	Nasyrov Iskandar Nailovich	ru_RU
dc.date.accessioned	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.available	2020-01-01T00:00:00Z	ru_RU
dc.date.issued	2020	ru_RU
dc.identifier.citation	Насыров И.Н. Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах // Высокие технологии и инновации в науке: сб. избр. статей междунар. науч. конф. (г. Санкт-Петербург, 28 мая 2020 г.). Санкт-Петербург: Гуманитарный национальный иссл. ин-т «Нацразвитие», 2020. С. 269-273.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=233872&p_lang=2	ru_RU
dc.description.abstract	Высокие технологии и инновации в науке	ru_RU
dc.description.abstract	Имеющиеся в чистых и примесных оксидных кристаллах дефекты после коротковолнового облучения перезаряжаются, что приводит к увеличению поглощения в видимом спектре при одновременном уменьшении в ультрафиолете. После нагрева кристаллов спектр поглощения возвращается в исходное состояние. Механизм поглощения перезаряженными дефектами – центрами окраски обусловлен захваченными на дефектах электронами.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.subject	кристалл	ru_RU
dc.subject	центр окраски	ru_RU
dc.subject	поглощение	ru_RU
dc.title	Механизм поглощения центрами окраски в облученных оксидных кристаллах	ru_RU
dc.type	Conference proceedings in Russian journals and collections	ru_RU